logo
logo
percent
star
SSD დისკი  1Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E1T0BW) internal SSD, 2.5", 1000 GB, SATA-III, read: 560 MB/s, write: 530 MB/s, TLC
SSD დისკი  1Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E1T0BW) internal SSD, 2.5", 1000 GB, SATA-III, read: 560 MB/s, write: 530 MB/s, TLC
SSD დისკი  1Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E1T0BW) internal SSD, 2.5", 1000 GB, SATA-III, read: 560 MB/s, write: 530 MB/s, TLC
SSD დისკი  1Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E1T0BW) internal SSD, 2.5", 1000 GB, SATA-III, read: 560 MB/s, write: 530 MB/s, TLC
SSD დისკი  1Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E1T0BW) internal SSD, 2.5", 1000 GB, SATA-III, read: 560 MB/s, write: 530 MB/s, TLC
SSD დისკი  1Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E1T0BW) internal SSD, 2.5", 1000 GB, SATA-III, read: 560 MB/s, write: 530 MB/s, TLC
SSD დისკი  1Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E1T0BW) internal SSD, 2.5", 1000 GB, SATA-III, read: 560 MB/s, write: 530 MB/s, TLC
SSD დისკი  1Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E1T0BW) internal SSD, 2.5", 1000 GB, SATA-III, read: 560 MB/s, write: 530 MB/s, TLC

SSD დისკი 1Tb Samsung 870 EVO (MZ-77E1T0BW) internal SSD, 2.5", 1000 GB, SATA-III, read: 560 MB/s, write: 530 MB/s, TLC

მარაგშია

delivery

უფასო მიწოდება

ფორმა/Form Factor

2.5"


მოცულობა

1 TB


ინტერფეისი

SATA 6 Gb/s

მარაგშია

delivery

უფასო მიწოდება

399.01

1

399.01

1

დამატებითი

მონაცემები

ძირითადი მახასიათებლები

მწარმოებელი

Samsung

ტიპი

SSD

პროდუქციის კოდი

900480

მწარმოებლის კოდი

MZ-77E1T0BW

ტექნიკური მახასიათებლები

ფორმა/Form Factor

2.5"

მოცულობა

1 TB

ინტერფეისი

SATA 6 Gb/s

ფლეშ მეხსიერება

Samsung V-NAND 3-bit MLC

ქეშ მეხსიერება (MB)

1 GB

ინფორმაციის წაკითხვოს სიჩქარე მბ/ს

560 MB/s

ინფორმაციის ჩაწერის სიჩქარე მბ/ს

530 MB/s

მუშაობის რესურსი (საათი)

1.5 Million Hours Reliability

შემთხვევითი წაკითხვის სიჩქარე IOPS

98000

შემთხვევითი ჩაწერის სიჩქარე IOPS

88000

საგარანტიო პერიოდი

12 თვე

ძირითადი მახასიათებლები

მწარმოებელი

Samsung

ტიპი

SSD

პროდუქციის კოდი

900480

მწარმოებლის კოდი

MZ-77E1T0BW

ტექნიკური მახასიათებლები

ფორმა/Form Factor

2.5"

მოცულობა

1 TB

ინტერფეისი

SATA 6 Gb/s

ფლეშ მეხსიერება

Samsung V-NAND 3-bit MLC

ქეშ მეხსიერება (MB)

1 GB

ინფორმაციის წაკითხვოს სიჩქარე მბ/ს

560 MB/s

ინფორმაციის ჩაწერის სიჩქარე მბ/ს

530 MB/s

მუშაობის რესურსი (საათი)

1.5 Million Hours Reliability

შემთხვევითი წაკითხვის სიჩქარე IOPS

98000

შემთხვევითი ჩაწერის სიჩქარე IOPS

88000

საგარანტიო პერიოდი

12 თვე

მსგავსი პროდუქტები