logo
logo
percent
star
SSD დისკი 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0BW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB
SSD დისკი 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0BW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB
SSD დისკი 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0BW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB
SSD დისკი 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0BW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB
SSD დისკი 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0BW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB
SSD დისკი 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0BW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB
SSD დისკი 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0BW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB
SSD დისკი 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0BW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB

SSD დისკი 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0BW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB

მარაგშია

delivery

უფასო მიწოდება

ფორმა/Form Factor

M.2 (2280)


მოცულობა

1 TB


ინტერფეისი

PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0


ინფორმაციის წაკითხვის სიჩქარე (მბ/წმ)

Up to 14,700 MB/s

მარაგშია

delivery

უფასო მიწოდება

789

1

789

1

დამატებითი

მონაცემები

ძირითადი მახასიათებლები

მწარმოებელი

samsung

ტიპი

M2 SSD

მწარმოებლის კოდი

MZ-VAP1T0BW

ტექნიკური მახასიათებლები

ფორმა/Form Factor

M.2 (2280)

მოცულობა

1 TB

ინტერფეისი

PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0

ფლეშ მეხსიერება

V-NAND TLC

ინფორმაციის წაკითხვის სიჩქარე (მბ/წმ)

Up to 14,700 MB/s

ინფორმაციის ჩაწერის სიჩქარე მბ/ს

Up to 13,300 MB/s

შემთხვევითი წაკითხვის სიჩქარე IOPS

Up to 1,850,000 IOPS

შემთხვევითი ჩაწერის სიჩქარე IOPS

Up to 2,600,000 IOPS

საგარანტიო პერიოდი

12 თვე

ძირითადი მახასიათებლები

მწარმოებელი

samsung

ტიპი

M2 SSD

მწარმოებლის კოდი

MZ-VAP1T0BW

ტექნიკური მახასიათებლები

ფორმა/Form Factor

M.2 (2280)

მოცულობა

1 TB

ინტერფეისი

PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0

ფლეშ მეხსიერება

V-NAND TLC

ინფორმაციის წაკითხვის სიჩქარე (მბ/წმ)

Up to 14,700 MB/s

ინფორმაციის ჩაწერის სიჩქარე მბ/ს

Up to 13,300 MB/s

შემთხვევითი წაკითხვის სიჩქარე IOPS

Up to 1,850,000 IOPS

შემთხვევითი ჩაწერის სიჩქარე IOPS

Up to 2,600,000 IOPS

საგარანტიო პერიოდი

12 თვე

მსგავსი პროდუქტები