logo
logo
percent
star
SSD დისკი რადიატორით 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0CW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB, radiator
SSD დისკი რადიატორით 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0CW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB, radiator
SSD დისკი რადიატორით 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0CW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB, radiator
SSD დისკი რადიატორით 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0CW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB, radiator
SSD დისკი რადიატორით 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0CW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB, radiator
SSD დისკი რადიატორით 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0CW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB, radiator

SSD დისკი რადიატორით 1Tb Samsung 9100 PRO (MZ-VAP1T0CW) internal SSD, M.2, 2280, 1000 GB, PCI-E 5.0 x4, NVMe, read: 14700 MB/sec, write: 13300MB/sec, TLC, cache - 1024 MB, radiator

მარაგშია

delivery

უფასო მიწოდება

635.01


ფორმა/Form Factor

M.2 (2280)


მოცულობა

1 TB


ინტერფეისი

PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0


ინფორმაციის წაკითხვის სიჩქარე (მბ/წმ)

Up to 14,700 MB/s

მარაგშია

delivery

უფასო მიწოდება

1

635.01

1

დამატებითი

მონაცემები

ძირითადი მახასიათებლები

მწარმოებელი

samsung

ტიპი

M2 SSD

მწარმოებლის კოდი

MZ-VAP1T0CW

ტექნიკური მახასიათებლები

ფორმა/Form Factor

M.2 (2280)

მოცულობა

1 TB

ინტერფეისი

PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0

ფლეშ მეხსიერება

V-NAND TLC

ქეშ მეხსიერება (MB)

1000

ინფორმაციის წაკითხვის სიჩქარე (მბ/წმ)

Up to 14,700 MB/s

ინფორმაციის ჩაწერის სიჩქარე მბ/ს

Up to 13,300 MB/s

მუშაობის რესურსი (საათი)

1.5 Million Hours Reliability (MTBF)

შემთხვევითი წაკითხვის სიჩქარე IOPS

Up to 1,850,000 IOPS

შემთხვევითი ჩაწერის სიჩქარე IOPS

Up to 2,600,000 IOPS

საგარანტიო პერიოდი

12 თვე

ძირითადი მახასიათებლები

მწარმოებელი

samsung

ტიპი

M2 SSD

მწარმოებლის კოდი

MZ-VAP1T0CW

ტექნიკური მახასიათებლები

ფორმა/Form Factor

M.2 (2280)

მოცულობა

1 TB

ინტერფეისი

PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0

ფლეშ მეხსიერება

V-NAND TLC

ქეშ მეხსიერება (MB)

1000

ინფორმაციის წაკითხვის სიჩქარე (მბ/წმ)

Up to 14,700 MB/s

ინფორმაციის ჩაწერის სიჩქარე მბ/ს

Up to 13,300 MB/s

მუშაობის რესურსი (საათი)

1.5 Million Hours Reliability (MTBF)

შემთხვევითი წაკითხვის სიჩქარე IOPS

Up to 1,850,000 IOPS

შემთხვევითი ჩაწერის სიჩქარე IOPS

Up to 2,600,000 IOPS

საგარანტიო პერიოდი

12 თვე

მსგავსი პროდუქტები