logo
logo
percent
star
მყარი დისკი  SSD PCIE G4 M.2 NVME 1TB W/HS 990 PRO MZ-V9P1T0CW SAMSUNG
მყარი დისკი  SSD PCIE G4 M.2 NVME 1TB W/HS 990 PRO MZ-V9P1T0CW SAMSUNG
მყარი დისკი  SSD PCIE G4 M.2 NVME 1TB W/HS 990 PRO MZ-V9P1T0CW SAMSUNG
მყარი დისკი  SSD PCIE G4 M.2 NVME 1TB W/HS 990 PRO MZ-V9P1T0CW SAMSUNG

მყარი დისკი SSD PCIE G4 M.2 NVME 1TB W/HS 990 PRO MZ-V9P1T0CW SAMSUNG

მარაგშია

436


ფორმა/Form Factor

M.2 (2280)


მოცულობა

1 TB


ინტერფეისი

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0


ინფორმაციის წაკითხვის სიჩქარე (მბ/წმ)

7450 MB/s

მარაგშია

1

436

1

დამატებითი

მონაცემები

ძირითადი მახასიათებლები

მწარმოებელი

Samsung

ტიპი

ssd

მწარმოებლის კოდი

SBMZ-V9P1T0CW

ტექნიკური მახასიათებლები

ფორმა/Form Factor

M.2 (2280)

მოცულობა

1 TB

ინტერფეისი

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

ფლეშ მეხსიერება

Samsung V-NAND 3-bit MLC

ინფორმაციის წაკითხვის სიჩქარე (მბ/წმ)

7450 MB/s

ინფორმაციის ჩაწერის სიჩქარე მბ/ს

6900 MB/s

მუშაობის რესურსი (საათი)

1500000

შემთხვევითი წაკითხვის სიჩქარე IOPS

1,200,000

შემთხვევითი ჩაწერის სიჩქარე IOPS

1,550,000

საგარანტიო პერიოდი

12 თვე

ძირითადი მახასიათებლები

მწარმოებელი

Samsung

ტიპი

ssd

მწარმოებლის კოდი

SBMZ-V9P1T0CW

ტექნიკური მახასიათებლები

ფორმა/Form Factor

M.2 (2280)

მოცულობა

1 TB

ინტერფეისი

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

ფლეშ მეხსიერება

Samsung V-NAND 3-bit MLC

ინფორმაციის წაკითხვის სიჩქარე (მბ/წმ)

7450 MB/s

ინფორმაციის ჩაწერის სიჩქარე მბ/ს

6900 MB/s

მუშაობის რესურსი (საათი)

1500000

შემთხვევითი წაკითხვის სიჩქარე IOPS

1,200,000

შემთხვევითი ჩაწერის სიჩქარე IOPS

1,550,000

საგარანტიო პერიოდი

12 თვე

მსგავსი პროდუქტები